Home Smartphone Lebih Lambat, Samsung Galaxy S23 Hanya Gunakan Internal 128GB UFS 3.1
Samsung Galaxy S23

Lebih Lambat, Samsung Galaxy S23 Hanya Gunakan Internal 128GB UFS 3.1

by Trendtech Indonesia

Trendtech, Jakarta – Menurut laporan awal, seri Samsung Galaxy S23 (varian Ultra) akan hadir dengan memori LPDDR5X yang lebih cepat dan penyimpanan UFS 4.0. Namun, menurut laporan terbaru, model standar Galaxy S23 (opsi penyimpanan dasar) akan menjadi pengecualian. Versi dasar Samsung Galaxy S23 ini akan datang hanya dengan penyimpanan 128GB.

Menurut @IceUniverse, Samsung Galaxy S23 Edisi Standar 128GB akan dilengkapi dengan memori flash UFS 3.1. Ini akan membuat kecepatan baca dan tulisnya lebih rendah daripada model memori flash UFS 4.0 di varian lainnya.

Memori LPDDR5X terbaru adalah standar memori berdaya rendah baru untuk smartphone, tablet, dan laptop. Ini mendukung kecepatan transfer data hingga 8533Mbps, 33% lebih cepat dari memori LPDDR5.

Baca juga: Jajaran Harga Samsung Galaxy S23 di Eropa Bocor, Mahal Dibanding AS

Chip memori UFS 4.0 menyediakan kecepatan baca data berurutan hingga 4200MB/dtk dan kecepatan tulis berurutan hingga 2800MB/dtk. Ini adalah dua kali kecepatan penyimpanan UFS 3.1, yang menawarkan kecepatan baca berurutan hingga 2100MB/dtk dan kecepatan tulis berurutan hingga 1200MB/dtk. Kecepatan penyimpanan UFS 3.1 bervariasi berdasarkan kapasitas, dan kecepatan tulis berurutan dari versi chip 128GB adalah 850MB/dtk.

Kombinasi chip generasi baru (Snapdragon 8 Gen 2 For Galaxy), memori baru (LPDDR5X), dan penyimpanan baru (UFS 4.0) akan membawa peningkatan kinerja yang sangat besar pada seri Samsung Galaxy S23. Peningkatan mungkin akan tercermin dalam kecepatan start-up ponsel, peluncuran aplikasi dan game serta multitasking dan menjalankan game.

Baca juga: Samsung Galaxy S23 & S23 Ultra akan Support Google’s Fast Pair

Galaxy S23 diharapkan tiba dengan layar Infinity-O 6,1 inci yang menawarkan resolusi FHD+ (2.340 x 1.080), kecepatan refresh 120Hz, dan dukungan HDR10+. Didukung oleh chipset Snapdragon 8 Gen 2, handset ini dapat mengemas 3.900 mAh dengan pengisian daya 25W. Kemungkinan akan ada kamera utama 50MP, lensa telefoto 10MP, dan unit sudut ultra lebar 12MP. Bagian depan dapat menampilkan kamera selfie 12MP.

Berita Lainnya

Leave a Comment